SDH8666Q为内置高压功率MOSFET的可做40W多重模式控制器
士兰微电子电源管理芯片SDH8666Q为内置高压功率MOSFET的可做40W多重模式控制器 SDH8666Q是用于开关电源的带高压启动、内置高压功率MOSFET、外置采样电阻的准谐振电流模式 PWM+PFM控制器。 SDH8666Q 内置高压启动恒流源，以实现高压启动。待机功耗低，小于40mW。具有多重模式控制：在重载下，高压时工作在 QR 模式，可以 减小开关损耗，低压时工作固定频率（65KHz）的 CCM 模式。在中载和轻载下，工作在 QR+PFM 模式，可以提高转换效率。在空载下，进入打嗝模式，有效地降低电路的待机功耗。 SDH8666Q 具有抖频功能，以降低 EMI。具有峰值电流补偿功能，在 不同的 AC 输入电压下能保持限输出功率一致。还有软启动功能，在上电过程中减小器件应力。 SDH8666Q内部集成了各种异常状态的保护功能，包括VCC过压保护，输出过载保护，输出过压保护，*消隐，逐周期峰值限流，输出二管短路保护，AC 输入电压欠压保护和过温保护等。 应用 开放式电源 适配器 机顶盒电源 SDH8666Q 是用于开关电源的带高压启动、内置高压功率 MOSFET、外置采样电阻的准谐振电流模式 PWM+PFM控制器。内置高压启动恒流源，有多重模式控制，具有抖频、峰值电流补偿、软启动功能，还集成各种异常状态的保护功能。SDH8666Q 可减少外围元件，增加效率和系统的可靠性，适用于反激式变换器。 1.高压启动 AC 上电后，SDH8666Q 从DRAIN端通过内置高压启动恒流源对VCC端外接电容进行充电，充电电流为 3mA，VCC电压开始上升；当VCC电压升到开启电压16V时，芯片开始工作，关断高压启动恒流源，转由辅助绕组供电。当功率MOSFET关断VCC电压下降到关断电压8V时，控制电路整体关断，电路消耗的电流变小。为减少保护状态下电路重启的次数和系统功耗，VCC继续降低直到**锁** 5V，再重新打开高压启动恒流源，对VCC端外接电容进行充电，芯片重新开始启动过程。 2.多种控制模式 SDH8666Q 具有多重模式控制。在重载条件下（VFB>2.3V），系统会有两种工作状态，当输入电压低时，工作CCM模式，此时为PWM控制，固定频率 65KHz，当输入电压高时，工作在DCM模式，此时工作在QR模式，可以减小开关损耗，较大频率限制在80KHz。随着负载降低，在中载和轻载条件下（1.7V3V），频率随FB电压增加而升高，提高低压的限输出功率。 3.抖频 SDH8666Q 采用抖频控制来改善 EMI 性能，使得整个应用系统的设计会变得简单。 4.峰值电流补偿 SDH8666Q 通过检测 DEM 管脚在开通时流出的电流判断输入电压的高低，并将检测到的电流转换成峰值电流的补偿量。另外低压升频功能可以有效提高低输入电压时的限输出功率，保证不同交流电压输入时限输出功率一致性。 5. 软启动 SDH8666Q 内置4ms软启动时间，以限制功率MOSFET 的 DRAIN 端较大峰值电流，使其逐步提高，从而减小器件的应力，防止变压器饱和。 6.VCC 过压保护 当VCC电压*过过压保护点26V时，触发VCC过压保护，此时功率MOSFET关断，系统将自动重启。 7.输出过载保护 当输出发生过载时，FB电压会升高，当升到FB过载保护点4.4V时，且再经过过载保护延时75ms后，功率MOSFET关断，VCC 电压开始下降；当VCC电压降到关断电压8V时，电路停止工作，但为减少保护状态下的电路重启次数和功耗，VCC电压继续降低到**5V，再重新打开高压启动恒流源，电路重新启动。 8.*消隐 SDH8666Q内置的*消隐电路可以防止功率MOSFET开通时产生的电流尖刺造成的误关断，这样外围 RC滤波电路可以省去。在*消隐时间内，脉宽调制比较器和峰值限流比较器是不工作的，而功率MOSFET在这段时间内是保持导通状态的，所以功率 MOSFET 开启的较小时间就是*消隐的时间 TLEB。 9.逐周期峰值电流限制 在每一个周期，峰值电流值由比较器的比较点决定，该电流值不会*过峰值电流限流值，保证功率 MOSFET上的电流不会*过额定电流值。当电流达到峰值电流以后，输出功率就不能再变大，从而限制了较大的输出功率。如果负载过重，会导致输出电压变低，反馈到FB端，导致FB电压升高，发生输出过载保护。 10.输出二管短路保护 SDH8666Q通过检测CS端实现输出二管短路保护功能。由于输出二管短路会导致原边瞬间过流，当电流采样电阻上的CS电压连续4个周期都大于1V时，就判定输出二管短路。此时功率 MOSFET 关断，且进入锁定状态。当AC输入电压断开，VCC 电压下降至锁** 5V 时，才能解除锁定状态；当 AC 输入电压重新上电后，系统将重新启动。 11.AC 输入电压欠压保护 在功率MOSFET导通时，辅助绕组电压为负，DEM管脚钳位为 0V。SDH8666Q 通过设定外部检测电阻，检测DEM管脚流出的电流。当流出电流小于98A时，且时间*过 Brown out 抗干扰时间时，进入AC输入电压欠压保护状态，功率MOSFET截止，系统将自动重启。当检测到电流大于113A时，则恢复正常工作。 12.可调节的输出电压过压保护 SDH8666Q的DEM管脚在开关截止且副边续流时期，作为输出电压检测管脚。当DEM管脚电压*过OVP电压阈值2.5V时，进入输出电压过压保护状态，功率MOSFET截止，系统将自动重启。 13.过温保护 当温度过高时，为了保护电路不会损坏，电路会触发过温保护，此时功率 MOSFET 关断，且该状态一直保持，直到冷却后系统将自动重启。
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