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供应IGBT模块英飞凌FF150R12KS4
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上架日期:2018-12-10 16:42:29
产地:德国
发货地:武汉
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详细说明

    FF150R12KS4

     

    技术参数:

    Ic(A),Tc=80          150

    Vce(sat),Max(V)        3.7

    Ton(us)                0.11

    Toff(us)               0.55

    Rth(j-c),K/W           0.1

    Pc(W)                  1250

    • 封装                  62mm

    • 电路结构               半桥

     

    性能概要:

    •高短路能力

    •自我限制短路电流

    •低开关损耗

    •无可比拟的耐用性

    V CESAT具有正温度系数

    CTI>400

     

    优点:

    • 灵活性

    • 最佳的电气性能

    • 最高的可靠性

     

    目标应用:

    • 电机控制和驱动

    • 太阳能系统解决方案

    对于完整的太阳能电力解决方案的主导产品

    • 不间断电源(UPS

    • 商业,农业和工程车辆(CAV

    • 感应加热

    • 工业焊接

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